晶圓代工大廠聯(lián)電20日宣布，IC設(shè)計(jì)公司力旺一次可編程（OTP）存儲(chǔ)器矽智財(cái)NeoFuse已成功導(dǎo)入聯(lián)電28納米高壓（HV）制程，強(qiáng)攻有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）市場(chǎng)，關(guān)鍵客戶(hù)已經(jīng)完成設(shè)計(jì)定案（Tape Out），并且準(zhǔn)備量產(chǎn)。

聯(lián)電表示，高端手機(jī)配備OLED顯示器已然成為趨勢(shì)，對(duì)小尺寸顯示器驅(qū)動(dòng)芯片（SDDI）效能要求亦更高，這樣的需求也顯示在制程平臺(tái)的選擇上，OLED關(guān)鍵客戶(hù)逐漸從55納米或40納米往更先進(jìn)的28納米高壓制程靠攏。

而28納米高壓制程可使高效能顯示器引擎的復(fù)雜運(yùn)算能力發(fā)揮最大功能，提供OLED顯示器驅(qū)動(dòng)芯片更快的資料存取速度，更高容量的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM＿及更好功耗，同時(shí)達(dá)到高畫(huà)質(zhì)與省電的目的。

目前聯(lián)電在2019年的小尺寸顯示器驅(qū)動(dòng)芯片（SDDI）量產(chǎn)晶圓出貨量為全球之冠，其28納米后閘式（Gate-Last）HKMG制程具備優(yōu)越管理漏電功耗與動(dòng)態(tài)功率表現(xiàn)，可以提升移動(dòng)設(shè)備的電池壽命，以此為基礎(chǔ)，其28納米高壓制程提供業(yè)界最小的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）記憶單位（Bit-cell）以減少芯片整體面積。

至于，力旺是世界領(lǐng)導(dǎo)之邏輯非揮發(fā)性存儲(chǔ)器矽智財(cái)廠商，NeoFuse矽智財(cái)為各種類(lèi)型之應(yīng)用提供低功耗、高可靠度、高安全性的解決方案，已經(jīng)廣泛布建于世界各大晶圓廠，從0.15um制程至先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)均已布建，未來(lái)也將繼續(xù)與晶圓廠緊密合作，為客戶(hù)創(chuàng)造最大利潤(rùn)與價(jià)值。

事實(shí)上，近來(lái)聯(lián)電受惠于購(gòu)并日本12寸新廠加入營(yíng)運(yùn)，加上通訊與電腦市場(chǎng)領(lǐng)域新品布建及庫(kù)存回補(bǔ)需求，使得在5G手機(jī)射頻芯片、OLED驅(qū)動(dòng)芯片，及用于電腦周邊和固態(tài)硬盤(pán)的電源管理芯片的推升下，帶動(dòng)出貨量成長(zhǎng)。2019年第4季，聯(lián)電合并營(yíng)收418.49億元，較第3季成長(zhǎng)10.89%，較2018年同期增加17.17%，創(chuàng)新高紀(jì)錄。累計(jì)，2019年全年合并營(yíng)收新臺(tái)幣1,482.02億元，較2018年減2.02%。

信息來(lái)源：全球半導(dǎo)體觀察官網(wǎng)（www.dramx.com）