發(fā)布時(shí)間：2012-09-28來(lái)源：
在東微半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)的堅(jiān)持和不懈努力下，2012年9月，世界上首個(gè)半浮柵晶體管（Semi-Floating gate Transistor）被研制成功，作為一種新型的基礎(chǔ)器件，半浮柵晶體管可應(yīng)用于SRAM（即靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）和DRAM（即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器領(lǐng)域）。半浮柵晶體管還可以應(yīng)用于主動(dòng)式圖像傳感器芯片（APS），由單個(gè)半浮柵晶體管構(gòu)成的新型圖像傳感器單元在面積上能縮小20%以上，感光單元密度提高，使圖像傳感器芯片的分辨率和靈敏度得到提升。
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